Pesquisadores da Universidade de Rice, no Texas (EUA) demonstraram uma nova forma de fabricação de chips para smartphone que permitiria armazenamento de “terabytes” de dados, afirma uma matéria do Technology Review, site do Instituto de Tecnologia de Massachusetts (MIT).

O novo tipo de memória, apelidada de RAM Resistiva (RRAM), já está em desenvolvimento por várias empresas, mas ainda tem um processo muito complexo e caro para a fabricação, que exige temperaturas e voltagens muito altas.

De acordo com os pesquisadores, a técnica consiste em “rechear” os espaços deixados por metais como ouro e platina dentro do chip com um óxido de silício poroso. Além de ser um material familiar para os fabricantes, o óxido exige bem menos energia para ser integrado ao chip do que processos anteriores.

Com a nova forma de fabricação, seria possível produzir memória RRAM com voltagens bem reduzidas e em temperatura ambiente.

Assim como a memória flash, a RRAM consegue armazenar memória mesmo sem um suprimento constante de energia, mas ao invés de utilizar transistores (como a flash), utiliza resistência – o que aumenta a capacidade de amazenamento por espaço. A expectativa dos pesquisadores é que uma memória de 1 terabyte possa ser encaixada em um espaço do tamanho de um selo postal.

A nova memória também pode ser “empilhada”, o que aumentaria ainda mais a capacidade de armazenamento em um único chip. A técnica de “empilhamento” é relativamente nova, mas alguns fabricantes já estão testando em memórias flash. A Samsung trabalha atualmente em uma versão que pode suportar até 24 camadas de memória.

Fonte: Canaltech